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ホーム製品情報光応用装置 | 半導体露光装置 PPS-8200/8300

光応用装置


半導体露光装置 PPS-8200/8300

多様なアプリケーションに対応し、厚膜レジストの露光に適した焦点深度の深い等倍ステッパーです。

対応アプリケーション
 ・半導体パッケージ(WL-CSP , FO-WLP)
 ・各種バンプ(Au-Bump , μ-Bump)
 ・TSV
 ・パワー半導体(IGBT)
 ・MEMS 等

◆ 特 徴

1. 自社開発の高照度ランプを搭載した照明光学系と投影光学系により最高のレジストプロファイルを実現しました。
2. 高照度のghi線ブロードバンド光を用いて、最大露光エリア(52×33mm)で高スループットを実現しています。
3. 露光時にレジストから発生するアウトガス対策機能を有し、コンタミネーションの付着による解像性能の低下及び照度劣化を防ぎます。
4. レチクルに最大8レイヤーのパターン配置が可能であり、ランニングコストの大幅な低減を実現します。
5. 可変NAの光学系の搭載により、多様なアプリケーションに対応します。
6. 薄ウェーハや反りウェーハなどに対応します。
7. オプションとしてウェーハエッジマスキングシステム、ウェーハエッジ露光システム、ウェーハ裏面アライメントシステムも装備しています。

◆ 仕 様

項目 仕様
縮小比 1:1
像面照度 ≧2300mW/cm2 (1.2kW UVランプ使用時)
露光波長 ghi線(gh線 , i線 自動切換)
照度分布 ≦±3% (ghi線)
最大露光エリア 52×33mm
レチクルサイズ 6inch
ウェーハサイズ 6 , 8 , 12inch

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