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光応用装置


UVイレーサー

低圧UVランプから放射する254nmのUVを利用し、プラズマ処理や、熱アニール処理工程などで、蓄積された電荷を効率よく除去し、素子の特性を改善します。 特性の改善により製品歩留まりの向上、信頼性の向上が期待できます。

◆ 特 徴

1. フラッシュメモリやその他の不揮発性メモリ、イメージセンサなどのチャージ除去やデータ消去に有効です。
2. 半導体デバイスのトランジスタ特性の改善と安定化にも有効です。
3. チャージイレースに最適なUV波長を、効率よく照射します。
4. 幅広い角度からUVを照射することで、効率よくチャージを除去します。
5. 対象ウェーハサイズは、12インチ(標準)、8インチ(オプション)となります。
6. 処理中のウェーハ温度は100℃程度です。低温で処理可能なため、ダメージを与えません。
7. 装置は、装置本体、ランプ電源ユニット、制御ユニットから構成されています。

◆ 仕 様

型式 VUM-3500
処理ウエーハ
サイズ
12インチ
8インチ OP
同時処理枚数 15枚
スループット ※1 約35WPH
カセット形態 FOUP
ウェーハ搬送 自動搬送
ランプ灯数 20本
初期照度 45mW/cm2
照度測定 自動測定
装置サイズ・重量 本体 : 1360(W)×2210(D)×2700(H) 1400kg
電源部 : 1140(W)×1040(D)×2125(H) 800kg
制御部 : 1400(W)×450(D)×1950(H) 400kg
※1 照度45mW/cm2、 露光量:50J(1100sec)の場合

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