露光装置:FDiシリーズ
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FDi-MP

FDi-MP

露光装置:FDi-MP 片面仕様

  

露光装置:FDi-MP 両面仕様
用途:高性能ICパッケージ基板等の回路形成
  • FC-BGA基板
  • FC-CSP基板
  • AiP等各種モジュール基板

 

特長
  • 10μm以下の回路パターンをダイレクト露光で実現
  • ORCならではのアライメント補正技術により高精度なパターン合わせを実現
  • 生産性重視⇔解像性重視の露光モードの切り替え機能により、現在の量産から将来を見据えた製品開発や量産対応が可能
  • FDi-MPをベースに用途に応じた製品のラインアップを拡充
製品仕様

Specification

項目 Mode 1 Mode 2 Mode 3
光源 半導体レーザ
解像性(L/S) 4 μm 5 μm 8 μm
データ分解能 0.1 / 0.25 / 0.5 μm
最大露光サイズ 515 x 515 mm
総合重ね合わせ精度 3.5 μm
露光モード

Exposure mode

 

 

3μm L/S (モード1適用)

FDi-Ms

FDi-Ms

露光装置:FDi-Ms
用途
  • 材料開発
  • ガラスマスク描画、他

 

特長
  • ご予算に合わせた光学ヘッド構成をご提案可能
FDi-MPW

FDi-MPW

露光装置:FDi-MPW
用途
  • FO-WLPのビア形成、RDL形成

 

特長
  • Die by Dieアライメント機能を搭載し、
    装置単独でダイシフトに対応した露光が可能
RDi-MP Duo

RDi-MP Duo

露光装置:RDi-MP Duo
用途
  • COFや、高精細FPCのパターン露光

 

特長
  • ロール材2条同時搬送・露光により生産性向上

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