消除闪存和其他非易失性存储器、图像传感器等的电荷和数据

• 采用最适合去除电荷的254nm波长。
• 因为是单一波长可使低温处理成为可能。
• 采用低入射角UV光，可以有效到达对象区域。
• 降低了LSI的不良率・提高了信赖性。