フラッシュメモリやその他の不揮発性メモリ、イメージセンサなどのチャージ除去、データ消去。

• 電荷除去に最適な254nm波長を採用。
• 単一波長のため低温処理が可能。
• 低入射角UV光で対象エリアに有効に照射。
• LSIの歩留まり向上・信頼性向上を実現。